Новые транзисторы создают в России

В российском НИИ электронной техники ведется работа по созданию серии мощных СВЧ LDMOS-транзисторов, не имеющих аналогов.

LDMOS-технология изготовления транзисторов, получившая развитие в производстве в конце прошлого столетия, сейчас вышла на первое место благодаря ряду преимуществ:

• более высокий коэффициент усиления ламп по сравнению с биполярными транзисторами;
• высокая надежность и высокий уровень Pmax (рассеиваемой мощности);
• Кривая усиления LDMOS более гладкая и позволяет усиление цифрового сигнала с несколькими несущими с меньшими искажениями;
• функционирование при более высокой отраженной мощности без разрушения устройства LDMOS;
• возможность выдерживать чрезмерное возбуждение входного сигнала и пригодность для передачи цифровых сигналов, благодаря улучшенной мгновенной пиковой мощности.

Транзисторы, разработанные по данной технологии, позволяют удовлетворить специфические требования заказчиков в передатчике сигнала стандартов DVB-T/ DVB-T2 при этом обеспечивая высокие значения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия. Изделия, создаваемые в АО «НИИЭТ», обладают высокой по современным меркам удельной выходной мощностью и малыми значениями удельных емкостей.

Изделия, выпускаемые АО «НИИЭТ» отличает улучшенная энергоэффективность для передатчиков цифрового эфирного телевещания, они заменят громоздкие и недолговечные электровакуумные лампы в аппаратуре различных средств радиосвязи

Транзистор КП9171А в настоящее время проходит тестирование.

Рабочий диапазон частот 400 – 860 МГц при напряжении питания 50 В.

Мощные СВЧ LDMOS-транзисторы могут считаться аналогом китайского прибора BLF881 (Ampleon) и будут применяться, как передатчики цифрового эфирного телевещания в усилительных трактах связных и телевизионных радиопередатчиков, авиационной бортовой и наземной электронике, импульсных передатчиках радиолокационных систем, средствах РЭБ, радарах различного назначения, дальномерной аппаратуре и авиационных системах TCAS.