Новые GaN транзисторы Integra Technologies: 1кВт (1025-1150 МГц), 115Вт (3.1-3.5 ГГц)

Integra Technologies, Inc. анонсировала два новых GaN-on-SiC HEMT транзистора, один из которых IGN3135L115 предназначен для импульсных радарных применений S-диапазона, а второй IGN1012S1000 - для систем DME.

Транзистор IGN3135L115 работает в непрерывном диапазоне частот 3,1–3,5 ГГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 3мс и коэффициентом заполнения 30%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 115 Вт при усилении 14дБ и КПД порядка 51%. Напряжение питания транзистора составляет 46В.

Второй анонсированный транзистор - IGN1012S1000 работает в диапазоне частот 1025-1150 МГц. При усилении импульсного сигнала с длительностью импульса порядка 32мкс и коэффициентом заполнения 2%, транзистор обеспечивает пиковую мощность не менее 1000 Вт при усилении 16дБ и КПД порядка 50%. Напряжение питания транзистора составляет 50В.